FDB0260N1007L
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB0260N1007L |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-7 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8545 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
FDB0260N1007L Einzelheiten PDF [English] | FDB0260N1007L PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB0260N1007LFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|